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SI8429DB-T1-E1 |
4-XFBGA,CSPBGA | Vishay Siliconix | 252168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI8429DB-T1-E1参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):8V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.7A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1640pF @ 4V 功率 - 最大值:6.25W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 晶体ECS-21K-15B 矩形- 接头,插座153212-2020-TB RF 收发器AC4790-200A-485 铝电容器PSU100015A 板对板 - 阵列,FX6-20S-0.8SV 配件WJ-RACK 圆形MS3108A36-10PW 振荡器FXO-LC736R-37.5 存储器FT24C02A-UDR-B 蜂鸣器AT-3037-TT-R |